АКЦЕПТОР—1) в б и о х и м и и —вещество, при­нимающее от донатора (то же, что в химии до­нор) различные атомы или атомные группировки. Акцептирование водорода имеет важное значение в процессах дыхания и брожения. Напр., уксусный альдегид, принимая водород при спиртовом броже­нии, превращается в этиловый спирт. 2) А. в хи­мии — см. Сопряжённые реакции.

Акцептор (лат. accipio — «принимать, получать»), объект, получающий (принимающий) что-либо от другого объекта, называемого донором.

• А. (в молекулярной биологии) — вещество, принимающее электроны и водород от окисляемых соединений и передающее их другим веществам.

• А. — организм, которому пересаживают орган или ткань или переливают кровь.

• А. (результатов) действия (термин введён психологом П. К. Анохиным) — сеть вставочных нейронов, охваченных кольцевым взаимодействием, которая является моделью будущих результатов действия.

• Акцептором электронов (в химии) — атом или группу атомов, принимающих электроны и образующих химическую связь засчёт орбиты акцептора и неподелённой пары электронов донора.

В физике А. электронов называют примесь которая отдаёт кристаллу «дырку» (ковалентная связь).

Акцептор, в физике твёрдого тела  примесь в кристаллической решётке, которая отдаёт кристаллу дырку. Вводится при ковалентном типе связи.

Схематическое изображение кремния с донорной примесью бора

А. бывают однозарядными и многозарядными. Например, в кристаллах элементов IV группы периодической системы элементов (кремния,германия) элементы III группы (алюминий, индий, галлий) являются однозарядными А. Поскольку элементы третьей группы имеют валентность 3, то три электрона образуют химическую связь с тремя соседними атомами кремния в кубической решётке, а электрона для образования четвёртой связи недостает. Однако при ненулевой температуре с определённой вероятностью четвёртая связь образуется. Электрон, который его образует, имеет энергию на несколько миллиэлектрон-вольт выше энергии потолка валентной зоны. При этом в валентной зоне образуется так называемая дырка, которая может свободно двигаться по кристаллу, и, таким образом, участвовать в электропроводности кристалла.

Для оценки энергии связи дырок на А. часто используют модель водородоподобного центра, в которой энергия связи находится из решения уравнения Шредингера для атома водорода с учетом того, что дырка в кристалле — квазичастица, эффективная масса которой отличается от массы свободного электрона, а также того, что дырка движется не в вакууме, а в среде с определённой диэлектрической проницаемостью. Более строгий расчет энергии основного и возбужденных состояний акцепторных уровней требует учета локального потенциала примеси, а также наличия во многих полупроводниках нескольких ветвей у закона дисперсии дырок (легкие и тяжелые дырки). А., энергия связи которых близка к энергии, оцененной из водородоподобной модели, называются мелкими А.

Обычно эффективные массы дырок малы в сравнении с массой свободного электрона. Кроме того полупроводники имеют достаточно большие значения диэлектрической проницаемости (порядка 10), так что энергия А. примерно в 100—1000 раз меньше энергии электрона в атоме водорода. Именно благодаря этим особенностям акцепторные уровни во многих полупроводниках ионизованы уже при комнатной температуре. Учитывая этот факт, волновые функции мелких акцепторных уровней простираются на много периодов кристаллической решётки, имея радиус намного больше чем радиус Бора.

Полупроводник	Акцептор	Ea − EV (мэВ)
GaAs	C	26
	Be	28
	Mg	28
	Si	35
Si	B	45
	Al	67
	Ga	72
	In	160
Ge	B	10
	Al	10
	Ga	11
	In	11